Дюссельдорф, Германия, 16 января 2018 г. – Компания Toshiba Memory Europe GmbH начала поставки ознакомительных образцов универсальных флеш-накопителей (UFS)[1] на основе самой современной 64-слойной 3D флеш-памяти BiCS FLASH™ производства Toshiba Memory Corporation[2]. Новые UFS-накопители соответствуют требованиям к производительности систем с необходимостью высокой скорости чтения и записи при низком энергопотреблении, включая мобильные устройства, такие как смартфоны и планшеты, а также системы дополненной и виртуальной реальности.
В новой серии представлены четыре устройства емкостью 32, 64, 128 и 256 ГБ[3]. Все устройства содержат флеш-память и контроллер в одном корпусе стандарта JEDEC размерами 11,5 x 13 мм. Контроллер выполняет коррекцию ошибок, нивелирование износа, трансляцию логических адресов в физические и управление поврежденными блоками, что облегчает разработку систем.
Все четыре устройства соответствуют требованиям стандарта JEDEC UFS версии 2.1, включая HS-GEAR3 с теоретической скоростью работы интерфейса до 5,8 Гбит/с на линию (11,6 Гбит/с для 2 линий) без какого-либо увеличения энергопотребления. Производительность последовательного чтения и записи[4] устройства емкостью 64 ГБ составляет 900 и 180 МБ/с, а производительность произвольного чтения и записи примерно на 200 и 185 % выше по сравнению с устройствами предыдущего поколения[5]. Благодаря последовательному интерфейсу UFS-устройства поддерживают полнодуплексный режим, позволяющий одновременно выполнять чтение и запись данных между главным процессором и UFS-устройством.
Примечания
* Названия компаний, продуктов и сервисов, упомянутые здесь, могут быть товарными знаками соответствующих компаний.
[1] Универсальный флеш-накопитель (Universal Flash Storage, UFS) – категория изделий для устройств встроенной памяти, разработанных в соответствии с требованиями стандарта JEDEC UFS.
[2] Поставки ознакомительных образцов устройств емкостью 64 ГБ начинаются сегодня. Поставки остальных устройств серии начнутся поэтапно после декабря.
[3] Емкость устройств определяется емкостью используемых в устройствах микросхем памяти, а не пространством для хранения данных, доступным конечному пользователю. Доступная пользователю емкость будет меньше из-за наличия областей хранения служебной информации, форматирования, поврежденных блоков и других ограничений, а также может изменяться в зависимости от используемого хост-устройства и приложения. Подробные сведения см. в соответствующих технических характеристиках изделий.
[4] Скорость чтения и записи приводится из расчета 1 МБ/с = 1 000 000 байт/с. Фактическая скорость чтения и записи может отличаться в зависимости от используемого устройства, режима чтения и записи, а также размера файлов.
[5] Устройство Toshiba Memory Corporation предыдущего поколения THGAF4G9N4LBAIR емкостью 64 ГБ.
|
